IPP200N15N, yüksek güçlü N-kanal MOSFET transistördür. TO-220 paketinde üretilen bu güç transistörü, yüksek akım ve voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. Düşük direnç ve yüksek verimlilik özellikleri ile güç elektroniği uygulamalarında tercih edilir.

Temel Özellikleri:

Model: IPP200N15N
Tip: N-Kanal MOSFET
Paket: TO-220
Özel Özellikler:
- Düşük RDS(on) direnci
- Hızlı anahtarlama özelliği
- Yüksek güç kapasitesi
- Düşük güç kaybı
- Termal koruma özelliği

Teknik Özellikler:

Drain-Source Voltajı (VDS): 150V
Gate-Source Voltajı (VGS): ±20V
Sürekli Drain Akımı (ID): 200A
Drain-Source Direnci (RDS(on)): 2.5mΩ
Güç Dissipasyonu (PD): 300W
Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ +175°C

Uygulama Alanları:

Güç kaynakları
DC-DC dönüştürücüler
Motor sürücüleri
Endüstriyel güç sistemleri
UPS sistemleri
Solar invertörler
Elektrikli araç şarj sistemleri

IPP200N15N MOSFET transistör, yüksek güç uygulamaları için tasarlanmış güvenilir bir çözümdür. Düşük RDS(on) direnci sayesinde minimum güç kaybı sağlar ve yüksek verimlilik sunar. Hızlı anahtarlama özelliği ve termal koruma mekanizması ile zorlu endüstriyel ortamlarda bile güvenle kullanılabilir.

MLKMM27026

IPP200N15N TO-220 Mosfet Transistör